Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHD6N62E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6808104SIHD6N62E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHD6N62E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.89
75+
$1.515
150+
$1.326
525+
$1.028
1050+
$0.812
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHD6N62E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHD6N62E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-PAK (TO-252AA)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    78W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    SIHD6N62E-GE3CT
    SIHD6N62E-GE3CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    578pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHD6N62E-GE3" seotud tooted.
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.