Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHD5N50D-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2357186SIHD5N50D-GE3 piltVishay Siliconix

SIHD5N50D-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHD5N50D-GE3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - test
    325pF @ 100V
  • Pinge - jaotus
    TO-252AA
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.3A (Tc)
  • Polarisatsioon
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    SIHD5N50D-GE3TR
    SIHD5N50DGE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    SIHD5N50D-GE3
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    20nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5V @ 250µA
  • FET funktsioon
    N-Channel
  • Laiendatud kirjeldus
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Vooluallikas (Vdss)
    -
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    500V
  • Mahutite suhe
    104W (Tc)
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHB6N65E-GE3

SIHB6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi