Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIR696DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4610491SIR696DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR696DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.63
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIR696DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIR696DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    104W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIR696DP-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1410pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    7.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    125V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 125V 60A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIR696DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR692DP-T1-RE3

SIR692DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Kirjeldus: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

Tootjad: Everlight Electronics
Laos
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.