Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIRA16DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4170306SIRA16DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA16DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
6000+
$0.27
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIRA16DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIRA16DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIRA16DP-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    22 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2060pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)
  • Baasosa number
    SIRA16

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIRA16DP-T1-GE3" seotud tooted.
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA00DP-T1-RE3

SIRA00DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 100A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.