Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIRA18ADP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3571466SIRA18ADP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIRA18ADP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.52
10+
$0.441
100+
$0.331
500+
$0.242
1000+
$0.187
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIRA18ADP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SIRA18ADP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.7 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    14.7W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SIRA18ADP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 30.6A (Tc) 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30.6A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIRA18ADP-T1-GE3" seotud tooted.
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA20DP-T1-RE3

SIRA20DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA04DP-T1-GE3

SIRA04DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA02DP-T1-GE3

SIRA02DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.