Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISA24DN-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

246381

SISA24DN-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA24DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.409

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SISA24DN-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SISA24DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (max)

+20V, -16V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 mOhm @ 15A, 10V
Voolukatkestus (max)

52W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Muud nimed

SISA24DN-T1-GE3TR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

32 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

25V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 25V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SISA24DN-T1-GE3" seotud tooted.

SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.