Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISC050N10DX1SA1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2973059

SISC050N10DX1SA1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
150640+
$0.281
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SISC050N10DX1SA1
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CHAN SAWED WAFER
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    -
  • Muud nimed
    SISC0,50N10D
    SISC0,50N10D-ND
    SISC0,50N10DIN
    SISC0,50N10DIN-ND
    SISC050N10D
    SISC050N10DIN-ND
    SISC050N10DXJSA1
    SISC050N10DXJSA1-ND
    SISC5N1DX1SA1
    SISC5N1DX1SA1-ND
    SP000016327
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • FET tüüp
    N-Channel
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Kirjeldus: SMALL SIGNAL+P-CH

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi