Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SISA96DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
905823SISA96DN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SISA96DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.171
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SISA96DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SISA96DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    +20V, -16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET® Gen IV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    26.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SISA96DN-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1385pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SISA96DN-T1-GE3" seotud tooted.
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Kirjeldus: SMALL SIGNAL+P-CH

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA66DN-T1-GE3

SISA66DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Kirjeldus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.