Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD50N06-09L_GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

1604953

SQD50N06-09L_GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50N06-09L_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$5.44

10+

$4.856

100+

$3.982

500+

$3.225

1000+

$2.72

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SQD50N06-09L_GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 60V 50A
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SQD50N06-09L_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-252, (D-Pak)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 20A, 10V
Voolukatkestus (max)

136W (Tc)
Pakend

Cut Tape (CT)
Pakett / kott

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muud nimed

SQD50N06-09L_GE3CT
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

3065pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

60V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 60V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SQD50N06-09L_GE3" seotud tooted.

SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD70140EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.