Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SQD50P08-28_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6672780SQD50P08-28_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P08-28_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$1.258
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQD50P08-28_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SQD50P08-28_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252AA
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    136W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6035pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 80V 48A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    48A (Tc)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQD50P08-28_GE3" seotud tooted.
SQD50P04-09L_GE3

SQD50P04-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD70140EL_GE3

SQD70140EL_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD90P04-9M4L_GE3

SQD90P04-9M4L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD97N06-6M3L_GE3

SQD97N06-6M3L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P03-07_GE3

SQD50P03-07_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 50A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P08-25L_GE3

SQD50P08-25L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 80V TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 50A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.