Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SQJ200EP-T1_GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3288617SQJ200EP-T1_GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ200EP-T1_GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.19
10+
$1.058
100+
$0.836
500+
$0.648
1000+
$0.512
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SQJ200EP-T1_GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SQJ200EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 16A, 10V
  • Võimsus - maks
    27W, 48W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muud nimed
    SQJ200EP-T1_GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    975pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A, 60A

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SQJ200EP-T1_GE3" seotud tooted.
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ148EP-T1_GE3

SQJ148EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 15A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ412EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ244EP-T1_GE3

SQJ244EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 23A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.