Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > RF / IF ja RFID > RF transiiveri mikrosüsteemid > SI4432-B1-FM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2764547

SI4432-B1-FM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.92
25+
$6.60
100+
$5.94
1000+
$4.455
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4432-B1-FM
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - varustus
    1.8 V ~ 3.6 V
  • Tüüp
    TxRx Only
  • Seeria
    -
  • Jadaliidesed
    SPI
  • Tundlikkus
    -121dBm
  • RF perekond / standard
    General ISM < 1GHz
  • Protokoll
    -
  • Võimsus
    20dBm (Max)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    20-VFQFN Exposed Pad
  • Muud nimed
    336-2522-5
    SI4432-B1-FM-ND
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Modulatsioon
    FSK, GFSK, OOK
  • Mälu suurus
    -
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • GPIO
    3
  • Sagedus
    240MHz ~ 930MHz
  • Täpsem kirjeldus
    IC RF TxRx Only General ISM
  • Andmeedastuskiirus (max)
    256kbps
  • Praegune - edastamine
    85mA
  • Praegune - vastuvõtmine
    18.5mA
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi