Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4435DDY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6913627

SI4435DDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$0.88

10+

$0.774

100+

$0.597

500+

$0.442

1000+

$0.354

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4435DDY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4435DDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 9.1A, 10V
Voolukatkestus (max)

2.5W (Ta), 5W (Tc)
Pakend

Original-Reel®
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4435DDY-T1-GE3DKR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

27 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1350pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
FET tüüp

P-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

11.4A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4435DDY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435DYTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4438-B1C-FMR

SI4438-B1C-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435DYPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)

Laos

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.