Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4435DDY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4610166

SI4435DDY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.90
10+
$0.788
100+
$0.608
500+
$0.45
1000+
$0.36
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4435DDY-T1-E3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 9.1A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4435DDY-T1-E3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 11.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Tc)
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435FDY-T1-GE3

SI4435FDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4438-B1C-FM

SI4438-B1C-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
SI4436DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4435DY

SI4435DY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi