Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M005A050H
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3040888GP1M005A050H piltGlobal Power Technologies Group

GP1M005A050H

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M005A050H
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP1M005A050H.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    92.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    627pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole TO-220
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP1M005A050H" seotud tooted.
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.