Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M007A090FH

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2770793

GP1M007A090FH pilt

Global Power Technologies Group

GP1M007A090FH

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

GP1M007A090FH
Tootja / bränd

SemiQ
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 900V 7A TO220F
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

GP1M007A090FH.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-220F
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Voolukatkestus (max)

40.3W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-220-3 Full Pack
Muud nimed

1560-1164-1
1560-1164-1-ND
1560-1164-5
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

1969pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

900V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 900V 7A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "GP1M007A090FH" seotud tooted.

GP1M008A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M005A050PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A065FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M007A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A025HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A050PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M005A050HS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A025PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A070FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A070F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A065PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M005A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A065F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M008A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.