Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M008A025CG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2233179

GP1M008A025CG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M008A025CG
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP1M008A025CG.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D-Pak
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 4A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    52W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    423pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP1M008A025CG" seotud tooted.
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A025PG

GP1M008A025PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.