Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP2M002A065PG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1151322GP2M002A065PG piltGlobal Power Technologies Group

GP2M002A065PG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP2M002A065PG
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GP2M002A065PG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    I-PAK
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 Ohm @ 900mA, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    52W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    353pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.5nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 1.8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GP2M002A065PG" seotud tooted.
GP2M004A060FG

GP2M004A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A060HG

GP2M004A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M005A050FG

GP2M005A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060CG

GP2M002A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060HG

GP2M002A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065PG

GP2M004A065PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A065FG

GP2M002A065FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2L26

GP2L26

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP2L24CJ00F

GP2L24CJ00F

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP2L24J0000F

GP2L24J0000F

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .7MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A065HG

GP2M002A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.