Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > GPA015A120MN-ND
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4545368GPA015A120MN-ND piltGlobal Power Technologies Group

GPA015A120MN-ND

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$1.463
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GPA015A120MN-ND
  • Tootja / bränd
    SemiQ
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    GPA015A120MN-ND.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 15A
  • Testimise tingimus
    600V, 15A, 10 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    25ns/166ns
  • Switching Energy
    1.61mJ (on), 530µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    320ns
  • Võimsus - maks
    212W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Muud nimed
    1560-1215-1
    1560-1215-1-ND
    1560-1215-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT and Trench
  • Väravad
    210nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT and Trench 1200V 30A 212W Through Hole TO-3PN
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    45A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    30A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GPA015A120MN-ND" seotud tooted.
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Kirjeldus: IGBT 1000V 60A 463W TO264

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Kirjeldus: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

Tootjad: Bergquist
Laos
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Kirjeldus: IGBT 1200V 80A 455W TO264

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Kirjeldus: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Kirjeldus: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Kirjeldus: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A D2PAK

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA040A120MN-FD

GPA040A120MN-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 80A 480W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Kirjeldus: DIODE GPP 8A TO220AC

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.