Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > SIDC03D120H6X1SA3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6998927

SIDC03D120H6X1SA3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIDC03D120H6X1SA3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.6V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    Sawn on foil
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    SIDC03D120H6
    SIDC03D120H6-ND
    SP000013218
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1200V 3A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    27µA @ 1200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A (DC)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
SIDC06D60AC6X1SA1

SIDC06D60AC6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC05D60C6X1SA2

SIDC05D60C6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Kirjeldus: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC06D60C6

SIDC06D60C6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182KQ

SID1182KQ

Kirjeldus: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Kirjeldus: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D60F6X1SA2

SIDC03D60F6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC06D120H6X1SA4

SIDC06D120H6X1SA4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1183K

SID1183K

Kirjeldus: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC06D120H8X1SA2

SIDC06D120H8X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC04D60F6X1SA3

SIDC04D60F6X1SA3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC06D120E6X1SA3

SIDC06D120E6X1SA3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC06D120F6X1SA2

SIDC06D120F6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi