Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > PMIC - väravadraiverid > SID1183K-TL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4531293SID1183K-TL piltPower Integrations

SID1183K-TL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$4.82
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SID1183K-TL
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pakkuja seadme pakett
    eSOP-R16B
  • Seeria
    *
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Muud nimed
    1810-1093-2
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Gate Driver IC eSOP-R16B
SID1132K-TL

SID1132K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1183K

SID1183K

Kirjeldus: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182KQ

SID1182KQ

Kirjeldus: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1132KQ

SID1132KQ

Kirjeldus: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC04D60F6X1SA3

SIDC04D60F6X1SA3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D60F6X1SA2

SIDC03D60F6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1152K

SID1152K

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1182K

SID1182K

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Kirjeldus: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1132KQ-TL

SID1132KQ-TL

Kirjeldus: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1152K-TL

SID1152K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC05D60C6X1SA2

SIDC05D60C6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi