Kodu > Tooted > Isolaatorid > Isolaatorid - väravadraiverid > SID1182KQ
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5627343SID1182KQ piltPower Integrations

SID1182KQ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$8.95
10+
$8.055
25+
$7.339
100+
$6.623
250+
$6.086
500+
$5.549
1000+
$4.833
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SID1182KQ
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - varustus
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Pinge - isolatsioon
    5000Vrms
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    -
  • Tehnoloogia
    Magnetic Coupling
  • Pakkuja seadme pakett
    eSOP-R16B
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q100, SCALE-iDriver™
  • Tõusu / languse aeg (tüüp)
    150ns, 150ns
  • Impulsi laiuse moonutus (max)
    -
  • Paljundamise viivitus tpLH / tpHL (max)
    340ns, 330ns
  • Pakett / kott
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Muud nimed
    1810-1099
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 125°C
  • Kanalite arv
    1
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    16 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    8A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • Praegune - Peak väljund
    8A
  • Praegune - väljund kõrge, madal
    3.6A, 4A
  • Ühine seisund Transientne immuunsus (min)
    50kV/µs (Typ)
  • Kinnitused
    -
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1152K

SID1152K

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1132K-TL

SID1132K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Kirjeldus: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1112K

SID1112K

Kirjeldus: DGTL ISO GATE DRVR

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1182K

SID1182K

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1152K-TL

SID1152K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Kirjeldus: DIODE GEN PURP WAFER

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
SID1132KQ

SID1132KQ

Kirjeldus: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1132K

SID1132K

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1132KQ-TL

SID1132KQ-TL

Kirjeldus: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1183K

SID1183K

Kirjeldus: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1112K-TL

SID1112K-TL

Kirjeldus: DGTL ISO GATE DRVR

Tootjad: Power Integrations
Laos
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Kirjeldus: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Tootjad: Power Integrations
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi