Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ6E055BNTCR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
397943RQ6E055BNTCR piltLAPIS Semiconductor

RQ6E055BNTCR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.255
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ6E055BNTCR
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ6E055BNTCR.pdf
    2.RQ6E055BNTCR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TSMT6 (SC-95)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    RQ6E055BNTCRTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    355pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ6E055BNTCR" seotud tooted.
CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
DMP3015LSS-13

DMP3015LSS-13

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
NTD20P06L-001

NTD20P06L-001

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E085BNTCR

RQ6E085BNTCR

Kirjeldus: NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRF9640STRRPBF

IRF9640STRRPBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SPI11N60C3XKSA1

SPI11N60C3XKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF6644TRPBF

IRF6644TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFBA1404P

IRFBA1404P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FDU8796

FDU8796

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.