Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RQ6E085BNTCR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1095768RQ6E085BNTCR piltLAPIS Semiconductor

RQ6E085BNTCR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.384
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RQ6E085BNTCR
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RQ6E085BNTCR.pdf
    2.RQ6E085BNTCR.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-457
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.25W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-74, SOT-457
  • Muud nimed
    RQ6E085BNTCRTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1350pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32.7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount SOT-457
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8.5A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RQ6E085BNTCR" seotud tooted.
RQ6P015SPTR

RQ6P015SPTR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRFD224PBF

IRFD224PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
PSMN7R6-60PS,127

PSMN7R6-60PS,127

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
RQ6C050UNTR

RQ6C050UNTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
NP80N055KLE-E1-AY

NP80N055KLE-E1-AY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 80A TO-263

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E045BNTCR

RQ6E045BNTCR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
RQ6C050BCTCR

RQ6C050BCTCR

Kirjeldus: PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
MCH3376-TL-E

MCH3376-TL-E

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8A 20V MCPH3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E055BNTCR

RQ6E055BNTCR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRFPS3810

IRFPS3810

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRL2203NSPBF

IRL2203NSPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AOD452

AOD452

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 55A TO-252

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IPI50R199CPXKSA1

IPI50R199CPXKSA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 17A TO262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RQ6E050ATTCR

RQ6E050ATTCR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
FQD30N06TM

FQD30N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.