Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RUU002N05T106
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4152943RUU002N05T106 piltLAPIS Semiconductor

RUU002N05T106

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.115
1000+
$0.079
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RUU002N05T106
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RUU002N05T106.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    UMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    200mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    SC-70, SOT-323
  • Muud nimed
    RUU002N05T106DKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    25pF @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    50V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RUU002N05T106" seotud tooted.
2SK2503TL

2SK2503TL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
IRFU9024

IRFU9024

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FCPF9N60NTYDTU

FCPF9N60NTYDTU

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI7196DP-T1-GE3

SI7196DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDB2710

FDB2710

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN3026LVT-7

DMN3026LVT-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IXKF40N60SCD1

IXKF40N60SCD1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AOT282L

AOT282L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IRL3714LPBF

IRL3714LPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 36A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
N0602N-S19-AY

N0602N-S19-AY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL_100+

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STB13N80K5

STB13N80K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
NTTFS5116PLTAG

NTTFS5116PLTAG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STD3LN62K3

STD3LN62K3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRL3103LPBF

IRL3103LPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 64A TO-262

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.