Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RZF013P01TL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3805605RZF013P01TL piltLAPIS Semiconductor

RZF013P01TL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RZF013P01TL
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RZF013P01TL.pdf
    2.RZF013P01TL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TUMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    800mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    3-SMD, Flat Leads
  • Muud nimed
    RZF013P01TLDKR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    290pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.4nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.3A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RZF013P01TL" seotud tooted.
2N7639-GA

2N7639-GA

Kirjeldus: TRANS SJT 650V 15A TO-257

Tootjad: GeneSiC Semiconductor
Laos
RFQ
APT70SM70J

APT70SM70J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
RJK0854DPB-00#J5

RJK0854DPB-00#J5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V LFPAK

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
RZF020P01TL

RZF020P01TL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
STP60NF03L

STP60NF03L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
SIS606BDN-T1-GE3

SIS606BDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
STF40NF20

STF40NF20

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 40A TO-220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IPL60R365P7AUMA1

IPL60R365P7AUMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFP7N80PM

IXFP7N80PM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
AOTF3N100

AOTF3N100

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
IXTN210P10T

IXTN210P10T

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 88A TO-263

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
HTNFET-D

HTNFET-D

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Tootjad: Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
Laos
RFQ
SI7462DP-T1-GE3

SI7462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.