Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > RZF020P01TL
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2418789RZF020P01TL piltLAPIS Semiconductor

RZF020P01TL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.191
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RZF020P01TL
  • Tootja / bränd
    LAPIS Technology
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.RZF020P01TL.pdf
    2.RZF020P01TL.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TUMT3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    800mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    3-SMD, Flat Leads
  • Muud nimed
    RZF020P01TL-ND
    RZF020P01TLTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    770pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    12V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 12V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "RZF020P01TL" seotud tooted.
2N7002E

2N7002E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
RZF013P01TL

RZF013P01TL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
JANTXV2N6766T1

JANTXV2N6766T1

Kirjeldus: MOSFET N-CH

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
IRF820STRRPBF

IRF820STRRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ZXMN3B04N8TC

ZXMN3B04N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF6678TRPBF

IRF6678TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
RZF030P01TL

RZF030P01TL

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SCTWA20N120

SCTWA20N120

Kirjeldus: IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
FQB4N20TM

FQB4N20TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IRLR7843CTRPBF

IRLR7843CTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
AON7244

AON7244

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 20A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
FQP3N50C-F080

FQP3N50C-F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPB020N08N5ATMA1

IPB020N08N5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF6626

IRF6626

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.