Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT38M50J
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2669159APT38M50J piltMicrosemi

APT38M50J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT38M50J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 28A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    357W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    APT38M50JMP
    APT38M50JMP-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 38A (Tc) 357W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)
APT40DC120HJ

APT40DC120HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50B

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100B2

APT37M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DC60HJ

APT40DC60HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F50J

APT38F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100L

APT37M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4065BNG

APT4065BNG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39M60J

APT39M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39F60J

APT39F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60B

APT36GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50S

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80L

APT38F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4016BVRG

APT4016BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVR

APT4012BVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80B2

APT38F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi