Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT4065BNG
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4754524

APT4065BNG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT4065BNG
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AD
  • Seeria
    POWER MOS IV®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    180W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    950pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    400V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 400V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)
APT40DQ120BG

APT40DQ120BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DC120HJ

APT40DC120HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DS04HJ

APT40DS04HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 45V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DQ100BG

APT40DQ100BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DQ60BCTG

APT40DQ60BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DC60HJ

APT40DC60HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80L

APT38F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39M60J

APT39M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DQ100BCTG

APT40DQ100BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVR

APT4012BVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4016BVRG

APT4016BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DQ60BG

APT40DQ60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39F60J

APT39F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DR160HJ

APT40DR160HJ

Kirjeldus: POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT40DQ120BCTG

APT40DQ120BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80B2

APT38F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38M50J

APT38M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi