APT38N60SC6

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

APT38N60SC6
Tootja / bränd

Microsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
Lead Free status / RoHS staatus

Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
Andmelehed

APT38N60SC6.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1.2mA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

D3Pak
Seeria

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 18A, 10V
Voolukatkestus (max)

278W (Tc)
Pakend

Bulk
Pakett / kott

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Contains lead / RoHS non-compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2826pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

112nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

600V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 600V 38A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D3Pak
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

38A (Tc)

Järgnev on "APT38N60SC6" seotud tooted.

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT38N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT40DC60HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT4065BNG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT40DQ100BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT37M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT39M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT38F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT38M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT4016BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT40DC120HJ

Kirjeldus: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT37M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT38F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT38F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT4012BVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT4012BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT40DQ100BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

APT39F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi

Laos

RFQ

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Eelregistreerimine

APT38N60SC6

Küsi hinnapakkumist

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

APT37F50S

APT36N90BC3G

APT38N60BC6

APT40DC60HJ

APT4065BNG

APT40DQ100BG

APT37M100L

APT39M60J

APT38F80L

APT38M50J

APT4016BVRG

APT40DC120HJ

APT37M100B2

APT38F50J

APT38F80B2

APT4012BVR

APT4012BVRG

APT37F50B

APT40DQ100BCTG

APT39F60J

Vali keel

Praegune keel