Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6626US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1651760

JAN1N6626US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6626US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
    JAN1N6626US.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.35V @ 1.2A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    220V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5B
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, E
  • Muud nimed
    1086-2303
    1086-2303-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 220V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2µA @ 220V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.75A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6626US" seotud tooted.
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.