Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6628US
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5578562JAN1N6628US piltMicrosemi

JAN1N6628US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$21.377
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6628US
  • Tootja / bränd
    Microsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.35V @ 2A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    660V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5B
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    E-MELF
  • Muud nimed
    1086-19987
    1086-19987-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2µA @ 660V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.75A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "JAN1N6628US" seotud tooted.
JAN1N6627

JAN1N6627

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.