Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6627U
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6964646

JAN1N6627U

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6627U
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.75A
  • Pinge - jaotus
    D-5B
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • RoHS staatus
    Bulk
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    SQ-MELF, E
  • Muud nimed
    1086-19981
    1086-19981-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    30ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    JAN1N6627U
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 400V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Dioodide seadistamine
    2µA @ 400V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.35V @ 2A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    400V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6626

JAN1N6626

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6630

JAN1N6630

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628

JAN1N6628

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6624

JAN1N6624

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6629

JAN1N6629

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6627

JAN1N6627

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6625

JAN1N6625

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi