Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N6630US
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5387387

JAN1N6630US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$21.377
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N6630US
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.4V @ 1.4A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    900V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5B
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    50ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, E
  • Muud nimed
    1086-19995
    1086-19995-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 900V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2µA @ 900V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.4A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N6640

JAN1N6640

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6638

JAN1N6638

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6631

JAN1N6631

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6630

JAN1N6630

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6639

JAN1N6639

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6628

JAN1N6628

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N6629

JAN1N6629

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi