Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN1968(TE85L,F)

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4007378

RN1968(TE85L,F) pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.088

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN1968(TE85L,F)
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN1968(TE85L,F).pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistori tüüp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Pakkuja seadme pakett

US6
Seeria

-
Takisti - emitteri alus (R2)

47 kOhms
Takisti - alus (R1)

22 kOhms
Võimsus - maks

200mW
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Muud nimed

RN1968(TE85LF)TR
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

250MHz
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Praegune - koguja piiramine (max)

100nA (ICBO)
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

100mA

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

What is an embedded system?

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN1968(TE85L,F)" seotud tooted.

RN1963(TE85L,F)

RN1963(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1911FETE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1961FE(TE85L,F)

RN1961FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1969FE(TE85L,F)

RN1969FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1961(TE85L,F)

RN1961(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1971FE(TE85L,F)

RN1971FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1968FE(TE85L,F)

RN1968FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1962TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1970FE(TE85L,F)

RN1970FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1967FE(TE85L,F)

RN1967FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1964TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1970(TE85L,F)

RN1970(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1966FE(TE85L,F)

RN1966FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1973(TE85L,F)

RN1973(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1965(TE85L,F)

RN1965(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1962FE(TE85L,F)

RN1962FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1965FE(TE85L,F)

RN1965FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1963FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1964FE(TE85L,F)

RN1964FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN1971TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.