Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN2711JE(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2727368RN2711JE(TE85L,F) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN2711JE(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN2711JE(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN2711JE(TE85L,F).pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Pakkuja seadme pakett
    ESV
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    -
  • Takisti - alus (R1)
    10 kOhms
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-553
  • Muud nimed
    RN2711JE(TE85LF)CT
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    200MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN2711JE(TE85L,F)" seotud tooted.
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2903,LF

RN2903,LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2902,LF

RN2902,LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2902FE,LF(CT

RN2902FE,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.