Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN2703JE(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2276165RN2703JE(TE85L,F) piltToshiba Semiconductor and Storage

RN2703JE(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.57
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN2703JE(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN2703JE(TE85L,F).pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • Pakkuja seadme pakett
    ESV
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    22 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    22 kOhms
  • Võimsus - maks
    100mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-553
  • Muud nimed
    RN2703JE(TE85LF)CT
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    200MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    70 @ 10mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN2703JE(TE85L,F)" seotud tooted.
RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2709JE(TE85L,F)

RN2709JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN262CST2R

RN262CST2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RN2610(TE85L,F)

RN2610(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2604(TE85L,F)

RN2604(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2608(TE85L,F)

RN2608(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN262GT2R

RN262GT2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2702TE85LF

RN2702TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2607(TE85L,F)

RN2607(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.