Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN2709JE(TE85L,F)

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6876223

RN2709JE(TE85L,F) pilt

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2709JE(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

4000+

$0.088

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

RN2709JE(TE85L,F)
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

RN2709JE(TE85L,F).pdf
Pinge - koguja emitteri jaotus (max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistori tüüp

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Pakkuja seadme pakett

ESV
Seeria

-
Takisti - emitteri alus (R2)

22 kOhms
Takisti - alus (R1)

47 kOhms
Võimsus - maks

100mW
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

SOT-553
Muud nimed

RN2709JE(TE85LF)TR
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sagedus - üleminek

200MHz
Täpsem kirjeldus

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Praegune - koguja piiramine (max)

100nA (ICBO)
Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)

100mA

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "RN2709JE(TE85L,F)" seotud tooted.

RN2708JE(TE85L,F)

RN2708JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN262GT2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMD2

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN2705JE(TE85L,F)

RN2705JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2704JE(TE85L,F)

RN2704JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2902,LF(CT

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2707JE(TE85L,F)

RN2707JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2711JE(TE85L,F)

RN2711JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2712JE(TE85L,F)

RN2712JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2701JE(TE85L,F)

RN2701JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2702TE85LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2710JE(TE85L,F)

RN2710JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2706JE(TE85L,F)

RN2706JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2902,LF

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2902(T5L,F,T)

RN2902(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN262CST2R

Kirjeldus: DIODE PIN HF SW 30V 100MA VMN2

Tootjad: LAPIS Semiconductor

Laos

RN2901(T5L,F,T)

RN2901(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

RN2711(TE85L,F)

RN2711(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.