Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPC8021-H(TE12LQ,M
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3123231

TPC8021-H(TE12LQ,M

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPC8021-H(TE12LQ,M
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TPC8021-H(TE12LQ,M.pdf
    2.TPC8021-H(TE12LQ,M.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    640pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "TPC8021-H(TE12LQ,M" seotud tooted.
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2AHM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE SMPC TO-277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC7.5HM3/87A

TPC7.5HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.