Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPC8022-H(TE12LQ,M

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2969860

TPC8022-H(TE12LQ,M

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

TPC8022-H(TE12LQ,M
Tootja / bränd

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

1.TPC8022-H(TE12LQ,M.pdf
2.TPC8022-H(TE12LQ,M.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

8-SOP (5.5x6.0)
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 3.8A, 10V
Voolukatkestus (max)

1W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Töötemperatuur

150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

650pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 40V 7.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "TPC8022-H(TE12LQ,M" seotud tooted.

TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8.2AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

TPC8.2HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8.2HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE SMPC TO-277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

TPC8.2AHM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division

Laos

TPC8.2AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.