Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPC8026(TE12L,Q,M)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5999305

TPC8026(TE12L,Q,M)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPC8026(TE12L,Q,M)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
    2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1800pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TPC8026(TE12L,Q,M)" seotud tooted.
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE SMPC TO-277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.