Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W9712G6KB25I TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5812044W9712G6KB25I TR piltWinbond Electronics Corporation

W9712G6KB25I TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$2.375
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W9712G6KB25I TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W9712G6KB25I TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    84-TFBGA (8x12.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    84-TFBGA
  • Muud nimed
    W9712G6KB25I TR-ND
    W9712G6KB25ITR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-TFBGA (8x12.5)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "W9712G6KB25I TR" seotud tooted.
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-18 TR

W971GG6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB25I

W971GG6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-25 TR

W971GG6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB-25 TR

W9712G6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-18

W971GG6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-18 TR

W971GG6SB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB25I

W9712G6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6KB-25

W971GG6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9712G6KB-25

W9712G6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.