Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVGS3130NT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2850108

NVGS3130NT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.496
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVGS3130NT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVGS3130NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    600mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    30 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    935pF @ 16V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20.3nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVGS3130NT1G" seotud tooted.
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2SK3813-Z-E1-AZ

2SK3813-Z-E1-AZ

Kirjeldus: TRANSISTOR

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
NTMFS4962NFT3G

NTMFS4962NFT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ZXMP2120G4TA

ZXMP2120G4TA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
BUK965R8-100E,118

BUK965R8-100E,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPD60R520C6BTMA1

IPD60R520C6BTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NTD65N03R

NTD65N03R

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kirjeldus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTMFS4C08NT3G

NTMFS4C08NT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
ZVNL120CSTOB

ZVNL120CSTOB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
DMN67D8LW-7

DMN67D8LW-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V SOT323

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
SQP120N06-6M7_GE3

SQP120N06-6M7_GE3

Kirjeldus: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
IRFIZ14G

IRFIZ14G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
GKI07301

GKI07301

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.