Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVGS5120PT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5391282

NVGS5120PT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.09
10+
$0.954
100+
$0.736
500+
$0.545
1000+
$0.436
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVGS5120PT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVGS5120PT1G.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    111 mOhm @ 2.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    600mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6
  • Muud nimed
    NVGS5120PT1GOSCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    35 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    942pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.1nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVGS5120PT1G" seotud tooted.
CSD23203W

CSD23203W

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
STS7N3LLH6

STS7N3LLH6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
TN0110N3-G

TN0110N3-G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Tootjad: Micrel / Microchip Technology
Laos
RFQ
IRFR7540TRLPBF

IRFR7540TRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 90A

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRFHM8228TRPBF

IRFHM8228TRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRF820ALPBF

IRF820ALPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB34P10TM

FQB34P10TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS4111PT1G

NVGS4111PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
RFP2N10L

RFP2N10L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2A TO-220AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SPP15P10P

SPP15P10P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IXFI7N80P

IXFI7N80P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-263

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IXTH6N120

IXTH6N120

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247AD

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STF10LN80K5

STF10LN80K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
BMS3003-1E

BMS3003-1E

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 78A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRLU7833-701PBF

IRLU7833-701PBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 140A IPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
PSMN5R0-30YL,115

PSMN5R0-30YL,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.