Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > NVGS4111PT1G
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
639054

NVGS4111PT1G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.283
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NVGS4111PT1G
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    NVGS4111PT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    630mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    30 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    750pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 3.7A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Ta)

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "NVGS4111PT1G" seotud tooted.
IPN95R3K7P7ATMA1

IPN95R3K7P7ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPI26CN10N G

IPI26CN10N G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
EPC2203

EPC2203

Kirjeldus: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
NVGS3441T1G

NVGS3441T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.35A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STP160N75F3

STP160N75F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
STD2N105K5

STD2N105K5

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IPA80R1K4CEXKSA2

IPA80R1K4CEXKSA2

Kirjeldus: MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
AUIRFS4010-7P

AUIRFS4010-7P

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Kirjeldus: POWER MOSFET TO-3

Tootjad: IXYS Corporation
Laos
RFQ
STD46N6F7

STD46N6F7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
SI1058X-T1-E3

SI1058X-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NVGS3130NT1G

NVGS3130NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVGS4141NT1G

NVGS4141NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PMN52XPX

PMN52XPX

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
IRF7202TR

IRF7202TR

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
NVGS3443T1G

NVGS3443T1G

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SIR642DP-T1-GE3

SIR642DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.