Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4936BDY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1461866

SI4936BDY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.07
10+
$0.94
100+
$0.725
500+
$0.537
1000+
$0.43
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4936BDY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4936BDY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.9A, 10V
  • Võimsus - maks
    2.8W
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4936BDY-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    530pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.9A
  • Baasosa number
    SI4936

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4936BDY-T1-E3" seotud tooted.
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.