Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4932DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6386685

SI4932DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.717
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4932DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4932DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 7A, 10V
  • Võimsus - maks
    3.2W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1750pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4932DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-E3

SI4931DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-GE3

SI4925BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-GE3

SI4923DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4920DY-T1-GE3

SI4920DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4931DY-T1-GE3

SI4931DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4923DY-T1-E3

SI4923DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4922BDY-T1-GE3

SI4922BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.