Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4940DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5172517

SI4940DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4940DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4940DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36 mOhm @ 5.7A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 4.2A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.2A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4940DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-GE3

SI4933DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4933DY-T1-E3

SI4933DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.