Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4942DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5752808

SI4942DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4942DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4942DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21 mOhm @ 7.4A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Baasosa number
    SI4942

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4942DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-E3

SI4936ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936ADY-T1-GE3

SI4936ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.