Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4943BDY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4378401

SI4943BDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$1.04

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4943BDY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4943BDY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 8.4A, 10V
Võimsus - maks

1.1W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

15 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V
FET tüüp

2 P-Channel (Dual)
FET funktsioon

Logic Level Gate
Vooluallikas (Vdss)

20V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

6.3A
Baasosa number

SI4943

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4943BDY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4947ADY-T1-GE3

SI4947ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4936BDY-T1-E3

SI4936BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.